Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
Características principalesPotencia de salida de hasta 84W típicamenteEficiencia del drenaje del 74% a 175 MHzEmpaqu ¡Cómpralo por $2,046 MXN en Cibercado!
Características principalesPotencia de salida de hasta 84W típicamenteEficiencia del drenaje del 74% a 175 MHzEmpaqu ¡Cómpralo por $2,046 MXN en Cibercado!

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

$2,046 MXN

Características principalesPotencia de salida de hasta 84W típicamenteEficiencia del drenaje del 74% a 175 MHzEmpaque en cinta y carrete: 500 unidades por carreteDiodo integrado de protección para la puertaDiseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potenciaEspecificaciones eléctricasTensión drenaje-fuente: 40V (máx.)Tensión puerta-fuente: -5/+10VDisipación del canal: 300WCorriente de drenaje: 20A (máx.)Temperatura de canal: 175°CResistencia térmica: 0.5°C/WDesempeño RFPotencia de salida: 84W típico a 175MHzEficiencia: 74% típico a 175MHzPotencia de entrada: 4.0W a 175MHzPotencia de salida: 75W típico a 530MHzEficiencia: 64% típico a 530MHzPotencia de entrada: 5.5W a 530MHzFrecuencia de operaciónRango VHF: 135-175 MHzRango UHF: 450-530 MHzFrecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHzCondiciones de pruebaTensión de prueba: 12.5VCorriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por ladoImpedancia: 50ΩTasa de VSWR: 20:1CompatibilidadCumple con RoHSPlomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperaturaAplicacionesEtapa de salida de amplificadores de alta potenciaSistemas de radio móvil VHF/UHFEquipos de comunicación de banda anchaCondiciones ambientalesTemperatura de operación: -40°C a 175°CTemperatura de almacenamiento: -40°C a 175°CTemperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)Características eléctricas típicasCorriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μACorriente de fuga puerta-fuente: 2.5μATensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)Configuración del circuitoPaquete de moldeadoConexión de múltiples electrodosDiseño para evaluación VHF (135-175MHz)Composición del paqueteMaterial: SilicioEncapsulado: Paquete de moldeConfiguración de pinesCumple con estándares RoHSConfiguración de pines1. Fuente (común)2. Drenaje3. Drenaje4. Fuente (común)5. Fuente (común)6. Puerta7. Puerta8. Fuente (común)9. Fuente (común)Características de diseñoDiseño para alta eficienciaOptimizado para VHF/UHFConexión de múltiples electrodosConstrucción de bajo ESREvaluación y pruebaEvaluación en placa de prueba VHFImpedancia característica: 50ΩMaterial del sustrato: Epoxi de vidrioConst. dieléctrica: 4.8 @1GHzTangente de pérdida: 0.018 @1GHzDocumentación: AN-VHF-049Componentes asociadosCapacitores cerámicos de alta QBobinas de precisiónResistencias de chip SMDCapacitores electrolíticos de 220μF

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Especificaciones:


Características principales

  • Potencia de salida de hasta 84W típicamente
  • Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
  • Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
  • Diodo integrado de protección para la puerta
  • Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones eléctricas

  • Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
  • Tensión puerta-fuente: -5/+10V
  • Disipación del canal: 300W
  • Corriente de drenaje: 20A (máx.)
  • Temperatura de canal: 175°C
  • Resistencia térmica: 0.5°C/W

Desempeño RF

  • Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
  • Eficiencia: 74% típico a 175MHz
  • Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
  • Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
  • Eficiencia: 64% típico a 530MHz
  • Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz
Frecuencia de operación
  • Rango VHF: 135-175 MHz
  • Rango UHF: 450-530 MHz
  • Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz
Condiciones de prueba
  • Tensión de prueba: 12.5V
  • Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado
  • Impedancia: 50Ω
  • Tasa de VSWR: 20:1
Compatibilidad
  • Cumple con RoHS
  • Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)
  • Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura
Aplicaciones
  • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
  • Sistemas de radio móvil VHF/UHF
  • Equipos de comunicación de banda ancha
Condiciones ambientales
  • Temperatura de operación: -40°C a 175°C
  • Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C
  • Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)
Características eléctricas típicas
  • Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA
  • Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA
  • Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)
Configuración del circuito
  • Paquete de moldeado
  • Conexión de múltiples electrodos
  • Diseño para evaluación VHF (135-175MHz)
Composición del paquete
  • Material: Silicio
  • Encapsulado: Paquete de molde
  • Configuración de pines
  • Cumple con estándares RoHS
Configuración de pines
  • 1. Fuente (común)
  • 2. Drenaje
  • 3. Drenaje
  • 4. Fuente (común)
  • 5. Fuente (común)
  • 6. Puerta
  • 7. Puerta
  • 8. Fuente (común)
  • 9. Fuente (común)
Características de diseño
  • Diseño para alta eficiencia
  • Optimizado para VHF/UHF
  • Conexión de múltiples electrodos
  • Construcción de bajo ESR

Evaluación y prueba

  • Evaluación en placa de prueba VHF
  • Impedancia característica: 50Ω
  • Material del sustrato: Epoxi de vidrio
  • Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
  • Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
  • Documentación: AN-VHF-049

Componentes asociados

  • Capacitores cerámicos de alta Q
  • Bobinas de precisión
  • Resistencias de chip SMD
  • Capacitores electrolíticos de 220μF

Recursos descargables:

RD70HUF2
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