Memoria microSDXC de 64 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, garantizando la integridad de la grabación 4K sin interrupciones ni pérdida de frames. Cumple con los estándares de rendimiento V30, U3 y A2, lo que asegura no solo la captura de video fluida sino también la ejecución eficiente de aplicaciones. Su construcción con memoria NAND TLC incorpora tecnología de wear leveling avanzada para optimizar la durabilidad del almacenamiento. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y resiste condiciones adversas incluyendo agua, impactos, vibraciones, rayos X y exposición a campos magnéticos.Características Generales• Capacidad: 64 GB• Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s• Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s• Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10• Tipo de memoria: NAND TLC• Tecnología de gestión: Wear leveling avanzado• Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C (-13°F a 185°F)• Resistencia: Agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo• Aplicación recomendada: Drones y cámaras de acciónDesempeñoCapacidad: 64 GBLectura secuencial: 180 MB/sEscritura secuencial: 150 MB/sClase de velocidad: V30Clase UHS: U3Clase de aplicación: A2Clase de bus: Clase 10Tipo de memoria: NAND TLCFísicas y AmbientalesTemperatura operativa: -25°C a 85°C (-13°F a 185°F)Resistencia al agua: SíResistencia a golpes: SíResistencia a vibraciones: SíResistencia a rayos X: SíResistencia a magnetismo: SíContenido del PaqueteMemoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 64 GB
Memoria microSDXC de 64 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, garantizando la integridad de la grabación 4K sin interrupciones ni pérdida de frames. Cumple con los estándares de rendimiento V30, U3 y A2, lo que asegura no solo la captura de video fluida sino también la ejecución eficiente de aplicaciones. Su construcción con memoria NAND TLC incorpora tecnología de wear leveling avanzada para optimizar la durabilidad del almacenamiento. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y resiste condiciones adversas incluyendo agua, impactos, vibraciones, rayos X y exposición a campos magnéticos.
Acerca de nosotros
Aviso de privacidad