Memoria MicroSD / Clase 10 de 512 GB / Especializada Para Drones Comerciales, Cámaras de Fotografía y de Video / 180 MB/s Lectura / 150 MB/s Escritura

Memoria microSDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de alta intensidad como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, con clasificación V30 U3 A2 que asegura la grabación continua de video 4K sin frames congelados ni interrupciones. La arquitectura NAND TLC incorpora wear leveling avanzado para distribuir el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y cuenta con resistencia certificada a agua, impactos, vibraciones, rayos X y campos magnéticos, garantizando la integridad de los datos en entornos hostiles.Características GeneralesCapacidad: 512 GBVelocidad de lectura secuencial: 180 MB/sVelocidad de escritura secuencial: 150 MB/sClase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10Tipo de memoria: NAND TLCWear leveling avanzadoRango de temperatura operativa: -25°C a 85°CResistencia: agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo, electricidad estáticaDesempeñoCapacidad: 512 GBLectura secuencial: 180 MB/sEscritura secuencial: 150 MB/sClase V30Clase U3Clase A2Clase 10Memoria NAND TLCWear leveling avanzadoFísicas y AmbientalesTemperatura operativa: -25°C a 85°CResistencia al aguaResistencia a golpes e impactosResistencia a vibracionesResistencia a rayos XResistencia al magnetismoResistencia a electricidad estáticaContenido del PaqueteMemoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 512 GB