Diodo SHITTKY UHF Mixer SI.

Diodo Schottky UHF diseñado para aplicaciones de mezcladores y detectores RF en el rango de frecuencias ultra altas. Su construcción en semiconductor de silicio ofrece baja capacitancia de juntura y reducida caída de tensión directa, permitiendo operación eficiente hasta 1 GHz. La alta linealidad y bajo nivel de ruido lo hacen ideal para receptores de comunicación, equipos de medición RF y circuitos de conversión de frecuencia. El encapsulado DO-35 facilita su integración en diseños de montaje convencional con conexiones polarizadas por cable.Características principalesBaja caída de tensión directa para máxima eficiencia en conmutaciónCapacitancia de 0.5 pF que minimiza distorsión en señales UHFAlta linealidad en aplicaciones de mezclado y detección RFOperación confiable en receptores UHF y sistemas de comunicaciónResistencia serie de 25 Ω para respuesta de conmutación rápidaRango térmico extendido de -55°C a +150°CEspecificaciones técnicasTipo de diodoSchottkyMaterialSilicio (Si)Frecuencia máxima1 GHz (típico)Capacitancia0.5 pF (máx.) @ 1 MHzCorriente directa máx.10 mATensión inversa máx.5 VResistencia serie25 Ω (máx.)Temperatura de operación-55°C a +150°CEncapsuladoDO-35Conexión ánodoCable positivoConexión cátodoCable negativoAplicaciones típicasReceptores de UHF y sistemas de comunicaciónEquipos de medición RF y analizadores de espectroCircuitos de conversión de frecuencia y mezcladoresDetectores de envolvente y demoduladores