Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales.Características PrincipalesPotencia de salida de hasta 84W típicaEficiencia del drenaje del 74% a 175 MHzDiodo integrado de protección para la puertaDiseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potenciaEmpaque en cinta y carrete: 500 unidades por carreteEspecificaciones EléctricasTensión Drenaje-Fuente40V (máx.)Tensión Puerta-Fuente-5V / +10VDisipación del Canal300WCorriente de Drenaje20A (máx.)Temperatura de Canal175°CResistencia Térmica0.5°C/WDesempeño RFBanda VHF: 135-175 MHzPotencia de Salida84W típicoEficiencia74% típicoPotencia de Entrada4.0WBanda UHF: 450-530 MHzPotencia de Salida75W típicoEficiencia64% típicoPotencia de Entrada5.5WInformación de EmpaqueFormatoCinta y CarreteCantidad por Carrete500 unidades